Amélioration des nanostructures à bas des semi-conducteurs III-V pour la Détection

Abstract

Dans le cadre de ce projet nous somme intéressé sur l'amélioration de la réponse d'une photodiode basée sur les semi-conducteurs III-V en passant par l'étude des propriétés structurales afin d'obtenir une photodiode ultra rapide. L'optimisation des concentrations de phosphore dans l'alliage ternaire (GaAs/InP)permet d'améliorer l'absorption de la photodiode. Des simulations ont été réalisées pour étudier le gap en fonction de la concentration de phosphore et la température, le coefficient d'absorption en fonction de la concentration de phosphore, et finalement les réponses impulsionnelles des porteurs ainsi que la réponse en fréquence de la photodiode. Enfin, une nouvelle structure a été proposée pour améliorer la réponse de la photodiode. Mots-clés: jonction PN, longueur d'onde, photodiode PIN,semi-conducteursIII-V