Etude et simulation des nanofils à base GaAsP avec insertion de puits quantiques GaAs Etude et simulation des nanofils à base GaAsP avec insertion de puits quantiques GaAs Etude et simulation des nanofils à base GaAsP avec insertion de puits quantiques GaAs

Abstract

Dans ce mémoire de master, nous nous intéressons à la simulation et la modélisation d’une nouvelle cellule solaire à base de nanofil GaAsP / GaAs pour le photovoltaïque. Le matériau GaAsP est un alliage ternaire semiconducteur III-V. Avec la richesse de sa structure électronique et autre propriétés, il a trouvé une large application dans les dispositifs optiques et électroniques. D’abord, nous avons étudié l’influence de la concentration de phosphore sur les différents

paramètres de la cellule solaire. Ensuite nous avons étudié l’effet d’insertion de puits quantiques dans une structure de nanofil pour différents paramètres caractéristiques de la cellule et l’effet de température à différents puits quantiques pour différents paramètres caractéristiques de la cellule. Mots clés : Nanofil, semiconducteur, photovoltaïque. In this master thesis, we are interested in the simulation and modeling of a new GaAsP / GaAs nanowire solar cell for photovoltaic. The GaAsP material is a ternary III-V semiconductor alloy. With the wealth of its electronic structure and other properties, it has found wide application in optical and electronic devices. First, we studied the influence of phosphorus concentration on the different parameters of the solar cell. Then we studied the insertion effect of quantum wells in a nanowires structure for different parameters characteristic of the cell and the effect of temperature at different quantum wells for different characteristic parameters of the cell. Key words: Nanowires, semiconductor, photovoltaic.