Etude et simulation de puits quantiques pour la télécommunication

Abstract

Dans ce travail, nous avons concentré notre attention sur l'étude et la simulation de la structure AlGaAs / GaAs de l'émission infrarouge. Ce mélange ternaire, qui est un composé de semi-conducteurs III-V, a des caractéristiques très importantes, notamment l'énergie de son gap, qui décroît constamment avec l'augmentation de la concentration en l’aluminium. Nous avons également étudié les différents facteurs liés au laser, que nous avons utilisé pour calculer la longueur d'onde émise par un puit quantique que nous avons trouvés à différentes concentrations d'aluminium.