Amélioration des performances d’un capteur optique à base de semiconducteurs InGaN / GaN

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DC Field	Value	Language
dc.contributor.author	HIDJO Hermione	-
dc.date.accessioned	2025-10-30T10:07:01Z	-
dc.date.available	2025-10-30T10:07:01Z	-
dc.date.issued	2025	-
dc.identifier.uri	https://di.univ-blida.dz/jspui/handle/123456789/40846	-
dc.description	4.621.1.1395;101p	fr_FR
dc.description.abstract	Ce projet de recherche s’inscrit dans le domaine des photodétecteurs à base de matériaux semiconducteurs InGaN/GaN. L’étude a d’abord porté sur l’analyse des effets de la composition en indium et de la température sur les propriétés structurales, électriques et optiques des alliages InGaN. En s’appuyant sur ces résultats, le travail s’est orienté vers l’optimisation des performances des photodiodes à base d’InGaN/GaN, en mettant particulièrement l’accent sur l’efficacité quantique, la sensibilité, le courant d’obscurité et le temps de réponse. Enfin, les résultats obtenus ont été adaptés à une application spécifique : la détection ultraviolette (UV), avec une concentration en indium de 0,1, optimisée pour cette gamme spectrale.	fr_FR
dc.language.iso	fr	fr_FR
dc.publisher	blida1	fr_FR
dc.subject	InGaN/GaN, photodiodes, propriétés optoélectroniques, détection UV	fr_FR
dc.title	Amélioration des performances d’un capteur optique à base de semiconducteurs InGaN / GaN	fr_FR
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