Perfectionnement de l’architecture d’un capteur optique à base de GaAsBi/GaAsP pour les applications optoélectroniques.

Abstract

L'objectif de cette recherche est d'explorer les transitions intersousbandes tout en améliorant le coefficient d'absorption au sein de l’architecture à puits quantiques GaAsBi/GaAsP. Nous avons d'abord examiné les propriétés optoélectroniques essentielles qui définissent cette architecture. Par la suite, nous avons analysé l'impact de l'association du bismuth et du phosphore sur le coefficient d'absorption intersousbandes. Pour accroître le coefficient d'absorption, il est nécessaire de réduire les concentrations de ces deux éléments tout en déplaçant la longueur d'onde associée vers des valeurs plus courtes, et cela peut être ajustée dans le domaine infrarouge suivant l'usage envisagé.