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Titre: Croissance de couches poreuses de silicium sous éclairement
Auteur(s): Chiboub, Nawel
Mots-clés: Couches poreuses
Croissance: couches poreuses Silicium,sous éclairement*
Date de publication: 2004
Editeur: Univ.- Blida1.
Résumé: Sur des substrats du silicium de type p de résistivité variant entre 1?cm et 30 K?cm, a été observée par le microscope électronique à balayage, les macropores observés ainsi, ont une forme tubulaire. Afin d’éliminer cette instabilité, nous avons éclairé les substrats du silicium résistif. L’apport des paires électrons- trous créées par laser He-Ne (? =543, 628 nm) ou une lampe à tungstène, a totalement éliminé l’instabilité déjà observée à l’obscurité car une épaisseur de la couche nanoporeuse dépassant les 30 µm a été observée, ce qui est largement suffisant pour avoir une luminescence.
Description: 115p. : ill. ; 30 cm.
URI/URL: http://di.univ-blida.dz:8080/jspui/handle/123456789/4410
Collection(s) :Thèse de Magister

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