Croissance de couches poreuses de silicium sous éclairement

Abstract

Sur des substrats du silicium de type p de résistivité variant entre 1?cm et 30 K?cm, a été observée par le microscope électronique à balayage, les macropores observés ainsi, ont une forme tubulaire. Afin d’éliminer cette instabilité, nous avons éclairé les substrats du silicium résistif. L’apport des paires électrons- trous créées par laser He-Ne (? =543, 628 nm) ou une lampe à tungstène, a totalement éliminé l’instabilité déjà observée à l’obscurité car une épaisseur de la couche nanoporeuse dépassant les 30 µm a été observée, ce qui est largement suffisant pour avoir une luminescence.