Linear region parameter extraction using fast simulated diffusion method for deep submicrometer mosfet.

Abstract

Comme les dispositifs sont réduits en régime sub-micrométrique, différentes approches ont proposé la détermination des paramètres du MOSFET dans la région linéaire, la tension de seuil, la mobilité effective, la longueur effective du canal, les résistances séries parasites, ainsi que la vitesse de saturation. Ces paramètres sont requis pendant la phase de conception du circuit intégré, pour la simulation et l’ajustement du comportement électrique de ce dernier. Toutefois ces méthodes sont intrinsèques au modèle étudié et ne peuvent être appliquées à d’autres modèles. Cette étude concerne l’extraction des paramètres du modèle BSIM3v3 submicronique profond du MOSFET en considérant une optimisation multi-dimensionnelle globale et en utilisant la méthode appelée « Diffusion simulée rapide »