Modélisation d’un transistor HEMT GaN large signal par la méthode d’Angélov

Abstract

Résumé A l'heure actuelle, les transistors à héterostructures HEMT (High Electron Mobility Transistor) à base de nitrure type AlGaN/GaN apparaissent comme les meilleurs candidats pour les applications hyperfréquences, de puissance, et haut température. Les avantages intrinsèques de ces transistors résident dans une tension de claquage et une vitesse de saturation élevée, une grande linéarité, une bonne stabilité à haute température, une grande stabilité chimique. Le but de cette étude est donc d'évaluer les potentialités des HEMT GaN, et de proposer un modèle précis en régime large signal de ce type de transistor, basé sur une méthode d'extraction des paramètres extrinsèques et intrinsèques. Notre travail consiste à simuler un transistor HEMT AlGaN/Gan sous MATLAB, on tenant compte de toutes les grandeurs qui puissent influencer ses performances (Ids,Cgs,Cgd). Ainsi, nous pourrions optimiser notre dispositif.

Abstract At present, the transistor heterostructures HEMT (High Electron Mobility Transistor) nitride-type AlGaN / GaN appear as the best candidates for microwave applications, power, and high temperature. The inherent advantages of these transistors are resident in a breakdown voltage and a high saturation velocity, high linearity, good high temperature stability, high chemical stability. The aim of this study is to evaluate the potential of GaN HEMT, and propose a specific model system wide signal of this type of transistor, based on a method of extracting the extrinsic and intrinsic parameters. Our job is to simulate a transistor HEMT AlGaN / Gan MATLAB, one taking into account all quantities that can influence performance (Ids, Cgs, Cgd). Thus, we could optimize our device.