Etude et optimisation des structures à puits quantique à base d'InGaAs/GaAs et GaAs/AIGaAs pour le laser

Abstract

L'amélioration des composants électroniques est l'un des défis majeurs de l'optoelectronique pour augmenter les débits d'information dans les fibres optiques et diminuer leurs facteurs de pertes. Dans ce travail, nous avons concentré notre attention sur l'étude et optimisation de la structure InGaAs /GaAs, GaAs/AlGaAs de l'émission infrarouge. Ce mélange ternaire, qui est un composé de semiconducteurs III-V, a des caractéristiques très importantes, pour cela nous avons étudiés les différentes paramètres structurales comme (paramètre de maille, désaccord de maille, épaisseur critique ...etc.) et électroniques comme l'énergie de son gap, l'énergie de quantification, l'énergie de transition et la mobilité (électrons, trous). Nous avons également étudié les différents facteurs liés au laser, que nous avons utilisé pour calculer la longueur d'onde émise à un puits quantique par la résolution de l'équation de Schrödinger en utilisant l'un des méthodes numériques. Nous avons trouvés à des concentrations d'indium optimales (XS30%) que notre structure peu atteindre les longueurs d'ondes 0.85 um, 1.3 um et 1.55 um qui sont applicable dans le télécom. Mots clés : semi-conducteur, laser, puits quantique, longueur d'onde d'émission