Etude et simulation d'une structure à base de couches minces pour le photovoltaïque.

Abstract

L'objet de notre mémoire est l'étude et la simulation d'une structure à base d'Inı-xGaxN/GaN pour le photovoltaïque. Cet alliage ternaire est un semiconducteur III-V présentant des caractéristiques intéressantes notamment par son énergie de gap donnant une meilleure amélioration de l'absorption des photons. Notre étude a également porté sur la simulation des différents paramètres caractérisant la cellule solaire afin de calculer son rendement de conversion photovoltaïque. Mots clés : Photovoltaïque; Semi-conducteur; Absorption; Rendement.