Élaboration et caractérisation de SnO2 en couches minces par la technique de spectroscopie Raman

Abstract

Le dioxyde d'étain (SnO2) en couches minces a été déposé sur des substrats en verre par déposition chimique en phase vapeur en utilisant SnCl2 +2H20) et le réactif O2. La croissance des dépôts a été réalisée à la température fixe de 400°c et des débits d'O2 différents. Les couches minces obtenues ont été caractérisées par les méthodes de diffraction des rayons X (DRX), la microscopie à force atomique (AFM) et par spectroscopie Raman. L'analyse des spectres DRX a révélé que toutes les couches consistaient en une phase de SnO2 de structure rutile. La qualité cristalline dépend sensiblement du flux d'Oz et qui a été confirmé par des mesures Raman. L'AFM indique une augmentation de la taille moyenne des cristallites lorsqu'on augmente le flux d'O2. Le mesure du spectre Raman sur les couches minces de SnO2 a révélé la présence des modes Raman fondamentaux: A1g (634.1 cm), E1g (476.88 cm ) et B2g (780.51 cm), confirmant que nos dépôts de SnO2 ont une structure de rutile. En plus des trois modes Raman fondamentaux, deux modes infrarouge (IR) actif Azg, Eu(705 cm -,245 cm-1), et un mode de phonons de surfaceB1u (544.9 cm-1) sont également observés du fait de la taille et de le forme de confinement des effets et de la morphologie de surface. Mots clés : Dioxyde d'étain, Déposition chimique en phase vapeur, spectroscopie Raman, Morphologie, couches minces