Nanaphotodiodes pour interconnexions optiques ultra-compactes et ultra-rapides

Abstract

La transmission optique à très haut débit, nécessite le développement de récepteurs de très hautes performances. Le travail de cette thèse à pour but l'optimisation des photodiodes PIN et MSM, afin de répondre aux besoins de la photodétection à la longueur d'onde 1.55 Um, et également de la fonction de photocommutation hyperfréquence. L'optimisation de la bande passante des photodiodes PIN a base de InGaAs/Inp est d'abord d’effectuée grâce à l'optimisation de transport dans la photodiode, par l'introduction des zones désertes mixtes. Il s'en suivra l'étude et l'optimisation des photodiodes MSM a base de InGaAs/InP, la réduction de courant d'obscurité est réalisée grâce à l'introduction de couche mince , utilisée pour l'augmentation de la barrière Schottky, a base de In0.52 Al0.48As, dans les lignes coplanaires pour la réalisation des photocommutateurs, dont l'objectif est l'utilisation comme dispositif d'échantillonnage de signaux hyperfréquence; est présentée. L'optimisation des performances par l'utilisation des nouvelles formes des tapers plus complexes, ainsi que par la resserrement des plans de masse, à permis d'atteindre de très bonnes valeurs d'isolation hyperfréquence, ces derniers sont considérables comme étant très acceptables, afin de permettre le bon fonctionnement du dispositif.