Optimisation d'une structure a puits quantique contraint a base de inSbBi/InSb et GaAsBi/AIAs pour l’optoélectronique.

Abstract

Ce travail porte sur l'étude d'une structure laser à base d'un puits quantique qui est composé d'une zone active sur le substrat In SbBi/InSb et GaAsBi/AIAs en vue de l'obtention de la longueur d'onde d'une fibre optique. Cet alliage ternaire qui est un semi-conducteur III-V présente des caractéristiques importantes. D'une manière drastique due à l'incorporation de Bismuth dans le substrat, nous avons étudié l'effet de bismuth sur la contrainte, la structure de bande, l'énergie de transition, l'énergie de quantification et nous avons calculé la longueur d'onde en fonction de la largeur du puits à la zone active ainsi que la concentration de bismuth. Mots clés :,Semi-conducteur, Bismuth, Zone active, Puits quantique, Longueur d'onde.