Conception et simulation d’un amplificateur distribué de puissance sans et avec micro ruban utilisant le transistor HEMT modèle d’Angelov large-signal

Abstract

Résumé L’optimisation des performances en puissance offertes par les amplificateurs dans les systèmes télécoms est un enjeu principal pour les deux domaines civil et militaire, donc dans cette étude on va essayer de faire la conception de nouveaux amplificateurs plus développés à base des transistors de types HEMTs qui est composé de l’alliage GaN, avec cellule cascade, qui nous permettent d’obtenir une très large bande de fréquence avec haute qualité et par conséquent, l’augmentation des performances.

Summary The optimization of power performance offered by the amplifiers in telecom systems is a major challenge for both civil and military fields, so in this study we will try to design new amplifiers more developed and based types of transistors HEMTs which is composed of GaN alloy, with cascade cell, that allow us to get a very wide frequency band with high quality and therefore, increased performance.