Modélisation et étude d'un puits quantique contraint à base de GaxIn1-xAs/GaAs et calcul du courant de seuil

Abstract

Ce travail porte sur l’étude d’une structure laser à base d’un puits quantique contraint "GaxIn1-xAs/GaAs", en vue de l’obtention de la longueur d’onde 980 nm, utilisée pour le pompage d’amplificateurs à fibres optiques dopées erbium. Nous avons étudié l’effet de la contrainte sur la structure de bande, calculé la longueur d’onde d’émission et le gain optique en fonction de la largeur du puits et les compositions x (Gallium), en prenant en compte l’influence de la température, la largeur du puits et l’injection. On a calculé également la densité du courant de seuil, en étudiant l’influence de la composition du gallium ainsi que la largeur de la zone active et la température.