Étude de la pulvérisation en surface des cibles de silicium (Si) et dioxyde de silicium (SiO2) sous l'impact des ions lourds rapides aux énergies du MeV: Interprétation des données expérimentales via une approche modifiée du modèle de pointes thermiques.

Abstract

Une étude numérique exhaustive a été effectuée sur la pulvérisation en surface induite dans deux cibles solides de silicium (Si) et de dioxyde de silicium (SiO2) irradiées par des ions lourds rapides aux énergies du Mev. Nous avons ainsi appliqué une approche théorique modifiée du modèle de pointes thermiques basée sur la résolution numérique de deux équations différentielles non-linéaires de diffusion de chaleur associées aux sous-systèmes électroniques et atomiques. Nous avons introduit les paramètres des pouvoirs d'arrêt nucléaire et électronique de l'ion incident comme conditions initiales aux limites avec des valeurs appropriées des propriétés thermo-physiques du matériau irradié en phase solide et liquide. Les résultats numériques obtenus ont été finalement comparés avec les données expérimentales du rendement de pulvérisation disponibles dans la littérature.