Etude de l'influence de la morphologie de surface de silicium sur la qualité de passivation durant la mesure la durée de vie des porteurs de charges électriques par QSSPC

Abstract

Dans ce projet, nous avons étudié l'effet d'un cycle de recuit thermique rapide (RTP) sur les propriétés structurales et optoélectriques des plaquettes de silicium monocristallin élaborées par la technique de tirage Czochralski (Cz-Si) dopées de bore. Différents pics de température (Tpic) de 600 °C à 1000 ° C ont été utilisés. Nous avons mené une étude théorique ou nous présentons certaines propriétés structurelles et électriques (types de structure cristalline, diagramme d'énergie des bandes, des défauts cristallins... etc.) ainsi que la présentation des techniques de caractérisation principales. Dans la partie expérimentale, nous avons fait subir aux plaquettes de silicium Cz-Si un recuit thermique rapide dans un four RTP pendant 180 secondes à différents pic de température: de 600 °c à 1000 °C. La caractérisation électrique montre une dégradation de la durée de vie de porteur de minoritaires Teff de 262 u Sec à 2 usec en raison de plusieurs paramètres ; les défauts métastables du Bore-oxygène, l'augmentation de la densité de points de défauts et dislocations générés par le traitement thermique ainsi que le rôle des liaisons de vacance-oxygène de type VO, VO2 et VOx.