Elaboration et caractérisation des couches minces de l’oxyde de zinc (ZnO) déposées par la technique APCVD

Abstract

Dans ce travail, nous avons préparé des couches minces d’oxyde de zinc (ZnO) par la technique APCVD sur des substrats en verre. Nous avons étudié l’effet de la temperature de dépôt sur les propriétés de ces couches par différentes techniques (DRX, MEB, AFM, EDX, FTIR). L’oxyde de zinc présente beaucoup d’intérêt car c’est un matériau binaire ayant de bonnes propriétés optoélectroniques. Il est la fois transparent et conducteur. En plus c’est un semiconducteur à large gap direct (3,3eV à la température ambiante). La technique APCVD nous a permis de synthétiser des couches minces de ZnO. Les spectres de DRX ont révélé que nos dépôts ont une structure hexagonale Wurtzite. Les images MEB et AFM nous ont permis quant à elles de définir la morphologie et la rugosité de nos couches. A partir de la spectroscopie FTIR nous avons montré que toutes les liaisons chimiques et les groupes fonctionnels existant dans le réseau ZnO. L’ensemble des résultats obtenus montre que la déposition des nos couches minces dépend des conditions d’élaboration.