Etude ab-initio de la structure électronique des matériaux binaires ScX (X=S, Se, Te).

Abstract

Dans le cadre de notre travail nous avons étudié les différentes propriétés structurales et électroniques des matériaux binaires de groupe III - VIQ ScX (X=S, Se, Te) ainsi que la pression de transition, en utilisant la méthode des ondes planes augmentées linéarisés FP-LAPW qui est basée sur la théorie fonctionnelle de la densité DFT implémentée dans le code Wien2k pour les deux approximations GGA et LDA. D'après les résultats des propriétés électroniques (la structure de bande, les densités d'état électronique totale et partielle DOS), nous constatons que les matériaux étudies sont de caractères métallique. Les deux phases hexagonales Wurtzite et NiAs peuvent être l'état fondamental des ScX en raison de la faible différence d'énergie entres ces deux structures à basse pression. Mots clé : ScX, FP-LAPW, DFT, Wien2k, GGA, LDA, Structure de bande, DOS, Wurtzite