Etude et simulation d'une cellule photovoltaïque a base de inGan (semi-conducteur III-V) pour l’amélioration de son rendement.

Abstract

L'énergie solaire et en particulier l'énergie photovoltaïque est en passe de devenir l'énergie du futur. Et les études menées sur les semi conducteurs III-V ont ouvert la voie à de nouvelles perspectives. Pour exemple, l'énergie de gap de l'InGaN a été réduite à 0.7 eV permettant de développer des alliages couvrant pratiquement tout le spectre solaire et de ce fait augmenter le rendement des cellules photovoltaïques. Dans cette optique, nous avons pris comme modèle une cellule photovoltaïque à base de InGaN sur un substrat de GaN, et après avoir définit ses principales caractéristiques, nous avons simulé son fonctionnement à l'aide du logiciel MATLAB. Ce qui nous a permis de modéliser une cellule avec un ensemble de paramètres physiques portant sur la concentration de l'Indium et du Gallium dans l'alliage et obtenir ainsi un rendement et une réponse spectrale optimum.