Analyse à l'echelle atomique des défauts de surface générés par oxydation des couches minces de silicium cristallin

Abstract

Dans ce travail de mémoire, nous nous somme focalisés sur l’analyse des défauts de lacunes d’oxygènes dans la croissance cristalline des couches minces de SiO 2 /Si (100). Une cartographie a été obtenu par un simulateur OXCAD développé via la méthode Stochastique KMC pour être utilisée dans cette analyse. Il s’avère que les défauts de lacunes d’oxygènes responsable des effets parasites (courant de fuite, tension de seuil instable…) des transistor MOSFET sont aussi présentent dans d’autres diélectriques (oxydes) qui sont les plus étudiés ces dernières années à cause de leurs bonnes propriétés physique et électrique pour être les successeurs du SiO 2 , comme par exemple le HfO 2 . Pour en conclure, les modélisations et simulations KMC sont des outils de base, au même titre que les microscopes, pour une meilleure vision à l’échelle atomique des mécanismes responsable de la dégradation des matériaux utilisés dans la fabrication des composants micro et nano électroniques.