Préparation de cibles pures de Cu 2 ZnSn(Se 1-x S x ) 4 pour déposition par PLD

Abstract

Les chalcogénures quaternaires du groupe I 2 -II-IV-VI 4 sont des matériaux prometteurs pour les applications photovoltaïques et thermoélectriques. Dans ce travail nous avons présenté, une étude bibliographique : un aperçu général des différentes propriétés du CZTSSe, les méthodes de synthèses et de dépôts de ces cibles et les domaines d’application dans l'industrie. Des échantillons de CZTS x Se 1-x

(x= 0, 0.25, 0.5 et 0.75) ont été préparés par réaction à l’état solide. La synthèse des composés CZTSSe ; misent dans des ampoules scellées sous vide ; a été faite en proportions stœchiométriques où ils ont subis un traitement thermique dans un four tubulaire. Le produit final a été caractérisé par la diffraction des rayons X et la spectroscopie UV-Vis-IR et Fluorescence des rayons X(XRF). La caractérisation structurale a monté que tous les composés ont une structure kësterite de groupe d’espace 𝐼4 ̅ 2𝑚 avec une orientation préférée (112) et des paramètres de maille (a varié de 5.46 à 5.70 Å et c varie de 10.81 à 11.36 Å) proches des valeurs moyennes obtenues dans la littérature. Le gap optique obtenu à partir de la réflexion diffusé, a montré que les valeurs de la bande interdite sont comprises entre 1,264 eV à 1,312 eV. La caractérisation structurale a monté que tous les composés ont une structure kësterite de groupe d’espace 𝐼4 ̅ 2𝑚 avec une orientation préférée (112) et des paramètres de maille (a varié de 5.46 à 5.70 Å et c varie de 10.81 à 11.36 Å) proches des valeurs moyennes obtenues dans la littérature. Le gap optique obtenu à partir de la réflexion diffusé, a montré que les valeurs de la bande interdite sont comprises entre 1,264 eV à 1,312 eV.