Effet des diélectriques de grille sur les   performances d’un transistor à couche mince   TFT a-IGZO à l'aide des outils TCAD-SILVACO

Please use this identifier to cite or link to this item: http://localhost:8080/xmlui/handle/123456789/8474

Title:	Effet des diélectriques de grille sur les performances d’un transistor à couche mince TFT a-IGZO à l'aide des outils TCAD-SILVACO
Authors:	BENGUERNANE, Imene NAIT AOURAGH, Imene
Keywords:	a-IGZO, Transistor à couches minces, Simulation, SILVACO, TFT
Issue Date:	2020
Publisher:	Univ Blida1
Abstract:	L’oxyde d’indium gallium zinc amorphe(a_IGZO) est un oxyde semi-conducteur qui est de plus en plus utilisé dans la fabrication des transistors en couches minces (TFT) en raison de ses caractéristiques spécifiques, telles que la grande mobilité et la transparence. Dans ce travail, nous avons utilisé la simulation numérique à l’aide des outils TCAD de SILVACO afin d’étudier l’influence des différents diélectriques de grille (SIO2, AL2O3, SI3N4, HfO2) sur les performances électriques du transistor TFT.
Description:	4.621.1.746 ; 64 p
URI:	http://di.univ-blida.dz:8080/jspui/handle/123456789/8474
Appears in Collections:	Mémoires de Master

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
mémoire 2020 (3) (1) (1) (1).pdf		2,93 MB	Adobe PDF	View/Open

DSpace JSPUI