Caractérisation Electrique et Extraction des Paramètres Electroniques des Transistors MOSFETs

Abstract

Pour ce travail de mémoire nous avons fait une étude expérimentale de caractérisation électrique des dispositifs MOSFETs, et cela afin d’extraire leurs différents paramètres électriques. L’extraction des paramètres permet de comprendre le comportement électrique des transistors, d’apercevoir leurs mécanismes de fonctionnement sous l’application de différents champs électriques, assimiler les processus physiques qui génèrent leurs régimes de fonctionnement et évaluer en conséquence leurs performances. Les mesures que nous avons effectué afin de réaliser cette étude sont les mesures courant-tension IDS(VGS) et IDS(VDS) pour le nMOSFET et le pMOSFET, des deux technologies 1µm et 5µm et avec différentes dimensions WG/LG (longueurs et largeurs)