Contribution a l’amélioration de la linéarité dans les modèles grands signales

Abstract

Le développement des systèmes de télécommunications motive la mise au point des systèmes de transmissions qui permettent des débits plus élevées sur des grandes distance. De ce fait les transistors utilisés dans ces systèmes doivent fonctionner à des fréquences et des puissances plus élevées. La technologie des nitrures est actuellement la plus prometteuse pour la fabrication des dispositifs électriques à haute mobilité l'électronique de puissance comme moyen de contrôle de l'énergie prend une place très importante dans les technologies modernes. L'objectif de ce projet est d’étudier les déférentes propriétés du semi-conducteur Nitrure de Galium (GaN) et analyser les défauts et les pièges présents dans la structure. Puis, on a décrit une modélisation électrique non linéaire du transistor HEMT à l’aide du logiciel ADS en tenant compte des effets physiques et real