Modélisation et simulation (FEM) d'un transistor MOSFET à grille suspendue (SG-FET).

Abstract

Dans les dispositifs hybrides à base de MEMS (Micro-Electro-Mechanical Systems) et de SSD (Solid-State Devices), les transistors FET à grille suspendue (SG-FET) sont les plus importants grâce à leurs capacités à travailler à très faibles puissance et à leurs utilisations dans divers application mémoire. Généralement, les dispositifs SG-FET possèdent des grilles mobiles à travers le canal avec deux états stables définissant ainsi deux tensions seuils. Les systèmes à base de SG-FET peuvent être implémentés dans divers dispositifs MEMS tels que des capteurs de gaz, des microphones et systèmes à base de résonateur comme des gyroscopes à hautes sensibilités. La conception et l'optimisation de systèmes SG-FET à haute sensibilité nécessite des logiciels de simulation numérique capables de mener en même temps l'aspect électrique dans le domaine semiconducteur et l'aspect mécanique qui simule les déplacements de la grille mobile. L'utilisation de l'environnement Comsol permettra de prendre en charge le couplage entre les deux domaines. L'objectif de ce projet est de modéliser les phénomènes physiques de ces dispositifs et de les implémenter sous l'environnement Comsol afin de mener des simulations numériques FEM. Ceci afin de proposer une conception de ce microdispositif.