Etude par photoluminescence des propriétés d'interface de la structure MIS SiN/ Etude par photoluminescence des propriétés d'interface de la structure MIS SiN/n-GaN en régime de déplétion Etude par photoluminescence des propriétés d'interface GaN en régime de déplétion

Abstract

Les semiconducteurs à large bande interdite de la filière nitrure III-N ont à l’heure actuelle de nombreuses applications micro et optoélectroniques (transistors de puissance microonde, photodétecteurs XUV,….) ce qui explique leur engouement actuel pour la recherche. En effet, la technologie de ces composés III-N est aujourd’hui pénalisée par la présence de nombreux défauts, qui ont un impact sur le bon fonctionnement des dispositifs. La thématique de ce travail porte sur la quantification et la signature (densité et niveau énergétique) des défauts présents à l’interface isolant-semiconducteur de la structure MIS SiN/n-GaN. La technique de caractérisation utilisée est la spectroscopie par photoluminescence en régime de déplétion dans le cadre du modèle de la couche morte. Les paramètres de surface/interface tels que la vitesse de recombinaison en surface caractérisant l’influence des pièges en surface et l’intensité de photoluminescence sont basés sur les processus de génération-recombinaison de paires électron-trou dans un semiconducteur soumis à une excitation optique.

Mots-clés : Nitrure de gallium (GaN), densité d’états d’interface (𝐷 ), interface isolant (SiN)-GaN, structure MIS, photoluminescence.