ETUDE ET SIMULATION D’UNE STRUCTURE A PUITS QUANTIQUE GaNAsBi/InP POUR DES SYSTÈMES DES COMMUNICATIONS OPTIQUES DE 1,3& 1,55 µm

Abstract

Ce travail porte sur l'étude et la simulation d'une structure à puits quantique GaNAsBi/InP. Il s’agit plus précisément d’évaluer l’influence de l’incorporation d’azote ‘N’et de bismuth ‘Bi’ sur la structure de bandes et le gain optique en utilisant le modèle anticroisement des bandes (BAC). En premier lieu, on va définir les propriétés physiques et structurales des matériaux III-V, pour en faire un alliage quaternaire d’une structure a puits quantique, ensuite, on étudie l’effet de l’incorporation d’une faible concentration d’azote et du bismuth dans l’alliage quaternaire GaNAsBi. L’incorporation du bismuth provoque l’éclatement de la bande de valence en deux sous bandes. Il en ait de même pour l’incorporation d’azote qui provoque un éclatement de la bande de conduction en deux sous bandes. L’avantage de cet effet est de provoquer une réduction remarquable de la bande interdite, et obtenir un maximum de gain optique ainsi que de varier la longueur d’onde d’émission afin d’atteindre les longueurs d’onde d’émission exploitables par les fibres optiques 1.33 et 1.55 µm pour la télécommunication.