Etude et simulation boîtes et puits quantiques pour la télécommunication

Abstract

Dans ce travail, nous avons concentré notre attention sur l'étude et la simulation de la structure InGaAs / GaAs de l'émission infrarouge. Ce mélange ternaire, qui est un composé de semi-vecteurs III-V, a des caractéristiques très importantes, notamment l'énergie de son gap, qui décroît constamment avec l'augmentation de la concentration en indium. Nous avons également étudié les différents facteurs liés au laser, que nous avons utilisé pour calculer la longueur d'onde émise par un puits et les points quantiques que nous avons trouvés à différentes concentrations d'indium (In 0.30 Ga 0.70 As et In 0.38 Ga 0.62 As) pour le puits et (In 0.50 Ga 0.50 As) Pour un point. Mots clés : laser, puits quantique, points quantiques, longueur d'onde d’émission.