Simulations de l’influence des défauts sur une diode Schottky à base AlGaAs

Brahimi, Chakib; Benlemdjaldi, Moussa

dc.contributor.author	Brahimi, Chakib
dc.contributor.author	Benlemdjaldi, Moussa
dc.date.accessioned	2019-11-13T08:41:16Z
dc.date.available	2019-11-13T08:41:16Z
dc.date.issued	2018
dc.identifier.uri	http://di.univ-blida.dz:8080/jspui/handle/123456789/2785
dc.description	4.621.1.565 ; 87 p illustré	fr_FR
dc.description.abstract	L’objectif principal de ce travail est d’étudier les caractéristiques d’une diode Schottky à base AlGaAs que sont obtenus après la simulation assisté par logiciel " SILVACO" .Pour bien comprendre le comportement de cette diode et son principe de fonctionnement et les phénomènes participant dans la conductivité du courant dans ce dernier, on a fait un partie théorique contient des généralités et des notions du base sur les semi-conducteurs en générale et ce type de composants spécialement. La simulation nous a permis d’étudier l’influence des défauts et d’autres paramètres sur les caractéristiques électriques tels que I-V and C-V	fr_FR
dc.language.iso	fr	fr_FR
dc.publisher	Univ Blida1	fr_FR
dc.subject	Diode ; Schottky ; Semi-conducteurs	fr_FR
dc.subject	Diode ; Schottky ; Semi-conducteurs	fr_FR
dc.title	Simulations de l’influence des défauts sur une diode Schottky à base AlGaAs	fr_FR