Effet des diélectriques de grille sur les   performances d’un transistor à couche mince   TFT a-IGZO à l'aide des outils TCAD-SILVACO

BENGUERNANE, Imene; NAIT AOURAGH, Imene

dc.contributor.author	BENGUERNANE, Imene
dc.contributor.author	NAIT AOURAGH, Imene
dc.date.accessioned	2021-01-05T08:30:55Z
dc.date.available	2021-01-05T08:30:55Z
dc.date.issued	2020
dc.identifier.uri	http://di.univ-blida.dz:8080/jspui/handle/123456789/8474
dc.description	4.621.1.746 ; 64 p	fr_FR
dc.description.abstract	L’oxyde d’indium gallium zinc amorphe(a_IGZO) est un oxyde semi-conducteur qui est de plus en plus utilisé dans la fabrication des transistors en couches minces (TFT) en raison de ses caractéristiques spécifiques, telles que la grande mobilité et la transparence. Dans ce travail, nous avons utilisé la simulation numérique à l’aide des outils TCAD de SILVACO afin d’étudier l’influence des différents diélectriques de grille (SIO2, AL2O3, SI3N4, HfO2) sur les performances électriques du transistor TFT.	fr_FR
dc.language.iso	fr	fr_FR
dc.publisher	Univ Blida1	fr_FR
dc.subject	a-IGZO, Transistor à couches minces, Simulation, SILVACO, TFT	fr_FR
dc.title	Effet des diélectriques de grille sur les performances d’un transistor à couche mince TFT a-IGZO à l'aide des outils TCAD-SILVACO	fr_FR