Résumé:
L’objectif de ce travail est d’étudier une méthode de caractérisation afin d’expliquer
le comportement des transistors HEMT de puissance basés sur une hétérostructure
AlGaN/GaN et d’identifier les différentes limites liées à cette technologie. Ces
transistors sont considérés ces dernières années comme des composants prometteurs
pour les applications hyperfréquences qui nécessitent des tensions et des puissances
élevées. Nous avons présenté les polarisations spontanée et piézoélectrique afin de
simuler la densité de charge à l’interface d’une hétérostructure AlGaN/GaN ainsi que
les caractéristiques courant-tension. L’influence des polarisations sur ces couches
constituant l’hétérostructure à été étudiée créant une mobilité des électrons très élevée.
Mots clés : HEMTs GaN; contact Schottky; 2DEG
