Résumé:
A cause de son efficacité, de sa grande précision et de sa facilité de mise en oeuvre par rapport aux techniques classiques de caractérisation de l'interface Si/SiO2, la technique de pompage de charge dépendante de spin (SDCP) a connu un grand essor des dernières années. Beaucoup d'améliorations lui ont été apportées .Cette technique est particulièrement utilisée pour analyser les dégradations des transistors MOS de très faible géométrie, ou les autres techniques ne sont plus d'aucune utilité. Ces dégradations conduisent généralement à la création d'une charge fixe piégée dans la couche d'oxyde et de défauts électriquement actifs à l'interface Oxyde semiconducteur, après l'application d'une contrainte de vieillissement (rayonnement, ionisation, injection de porteurs). Ce vieillissement est d'autant plus prononcé que les dimensions sont faibles, ce qui représente le principal obstacle que la micro-électronique doit surmonter. Ce travail à pour objectif d'identification de la microstructure des pièges dans les dispositifs MOS en variant la fréquence du signal appliqué à la grille.
