ETUDE D’UN PUITS QUANTIQUE A BASE D’InGaN/ZnSnN 2 /InGaN POUR LE LASER  A SEMI- CONDUCTEUR

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Élément Dublin Core	Valeur	Langue
dc.contributor.author	OUBADJI, Mustapha	-
dc.contributor.author	MERZOUG, YOUCEF	-
dc.date.accessioned	2021-02-28T10:13:13Z	-
dc.date.available	2021-02-28T10:13:13Z	-
dc.date.issued	2020	-
dc.identifier.uri	http://di.univ-blida.dz:8080/jspui/handle/123456789/10182	-
dc.description	4.621.1.838 ;50 p ;illustré	fr_FR
dc.description.abstract	Ce travail se concentre sur l’étude et la simulation d’une heterojonction composé d’un mélange des semi-conducteurs de la famille III-V et celles des Zn-VIN2.l’InGaN/ZnSnN2/InGaN est notre sujet. Nous voulons arriver à des résultats comparable à celle d’une heterojonction composé des ternaire de semi- conducteurs de la famille des III-V. Une simulation est réalisé pour détecter l’effet de la variation de la concentration de l’indium sur le paramètre de maille et le gap et l’influence due à la variation la largeur du puits quantique à des concentrations variables ; ce qui a déduit une longueur d’onde émise maximale de 0.6650 μm.	fr_FR
dc.language.iso	fr	fr_FR
dc.subject	ZnSnN 2 ; hétéro-structure ; puits quantiques.	fr_FR
dc.title	ETUDE D’UN PUITS QUANTIQUE A BASE D’InGaN/ZnSnN 2 /InGaN POUR LE LASER A SEMI- CONDUCTEUR	fr_FR
Collection(s) :	Mémoires de Master

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