Etude des propriétés optoélectroniques des structures A puits quantiques GaNAsp/Gap

Abstract

Ce travail porte sur l’étude des propriétés optoélectroniques des structures GaNAsP/GaP à puis quantique. Il s’agit plus précisément d’évaluer l’influence de l’incorporation d’arsenic et d’azote sur la structure de bande en utilisant le modèle anticroisement (BAC). Nous avons d’abord étudié le paramètre de maille, la contrainte, la masse effective et l’énergie de bande interdite ; l’incorporation d’azote provoque l’éclatement de la bande de conduction en deux sous bandes donc l’énergie de bande interdite diminue. Ensuite, nous avons étudié l’influence de l’azote et l’arsenic sur le gain optique et la longueur d’onde. Cette incorporation augmente la longueur d’onde dans le domaine infrarouge proche.