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dc.contributor.authorFitas, Abdelaziz-
dc.contributor.authorLouaked, Ilyes-
dc.date.accessioned2021-04-29T09:43:43Z-
dc.date.available2021-04-29T09:43:43Z-
dc.date.issued2020-
dc.identifier.urihttp://di.univ-blida.dz:8080/jspui/handle/123456789/11361-
dc.description621.948 ; 86 pfr_FR
dc.description.abstractotre travail s’est orienté dans le cadre d’une recherche de l’effet thermique sur le comportement de transistor de puissance HEMT AL-GAN/GAN car leurs performances et leur fiabilité dépendent directement de leurs températures de fonctionnement .ce dernier est très prometteur pour les applications haute puissance à hautes fréquences. Ce travail est fait par une conception assistée par ordinateur (CAO) laquelle est essentiel pour refléter la réalité avec l'augmentation du niveau de puissance et de la température du canafr_FR
dc.language.isofrfr_FR
dc.publisherUniv Blida1fr_FR
dc.subjectl’effet thermique; transistor HEMT; AL-GAN/GAN; conception assistée par ordinateur CAOfr_FR
dc.titleModélisation de la température pour les composants actifs radio fréquencefr_FR
Collection(s) :Mémoires de Master

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