Etude et simulation d’une structure photovoltaïque à base de  semiconducteurs II-VI (CdZnTe)

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Élément Dublin Core	Valeur	Langue
dc.contributor.author	Benamrouche, Aida	-
dc.date.accessioned	2019-10-21T09:16:46Z	-
dc.date.available	2019-10-21T09:16:46Z	-
dc.date.issued	2012	-
dc.identifier.uri	http://di.univ-blida.dz:8080/xmlui/handle/123456789/1165	-
dc.description	4.621.1.101 30 cm illustré	fr_FR
dc.description.abstract	Ce travail porte sur l’étude et la simulation d’une structure à base de semi-conducteurs II-VI pour une application photovoltaïque. Nous avons étudié l’influence de la concentration de Zinc sur les différents paramètres de l’alliage épitaxié sur substrat de . En effet l’augmentation de la densité de Zinc fait croitre le Gap de l’alliage, ce qui n’est pas intéressant pour absorber le maximum du spectre solaire, mais pour des faibles concentrations de Zinc ce matériau ternaire devient important dans le domaine photovoltaïque.	fr_FR
dc.language.iso	fr	fr_FR
dc.publisher	Univ Blida1	fr_FR
dc.subject	photovoltaïque	fr_FR
dc.title	Etude et simulation d’une structure photovoltaïque à base de semiconducteurs II-VI (CdZnTe)	fr_FR
Collection(s) :	Mémoires de Master

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