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dc.contributor.authorFethallah, Sarah; Aissat, Abdelkader (promoteur)
dc.date.accessioned2021-12-12T10:32:58Z
dc.date.available2021-12-12T10:32:58Z
dc.date.issued2021
dc.identifier.urihttp://di.univ-blida.dz:8080/jspui/handle/123456789/13455
dc.descriptionMémoire de Master option CNS/ATM.-Numéro de Thèse 062/2021fr_FR
dc.description.abstractAfin d’améliorer la performance d’un composant électronique pour augmenter les débits d’information et diminuer leurs facteurs de pertes, on a étudié et simuler trois structures à base de semi-conducteurs III-V, InGaAs/GaAs, InGaAs/InP et GaAsP/GaP. D’abord on a étudié l’effet de l’incorporation de l’indium et le phosphore sur les paramètres de maille des deux structures actives, on a aussi simulé la contrainte uniaxiale et biaxiale des trois matériaux. On a optimisé l’impact de la température et de l’énergie de gap sur les différents paramètres optiques et électroniques tels que l’absorption en 3D, le gap, la barrière de potentiel, tous leurs résultats montrent que pour des concentrations d’indium et de phosphore optimales, nos structures peuvent atteindre des longueurs d’onde exploitables en télécommunication.fr_FR
dc.language.isofrfr_FR
dc.publisherUniversité Blida 01fr_FR
dc.subjectSemi-conducteurs III-V; Substrat; Épitaxie; Puits quantiques; Laserfr_FR
dc.titleÉtude et simulation d’une structure à base de semi-conducteurs III-V pour l’émission dans l’infrarougefr_FR
dc.typeThesisfr_FR
Collection(s) :Mémoires de Master

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