Analyse des propriétés de surface des photodétecteurs X-UV à base de matériaux destinés à des applications spatiales Analyse des propriétés de surface des photodétecteurs UV à base de matériaux III-N à large bande interdite destinés à des applications spatiales Analyse des propriétés de surface des photodétecteurs à large bande interdite destinés à des applications spatiales

Abstract

Actuellement, de nouveaux semiconducteurs à large bande interdite sont disponibles et ont permis récemment de fabriquer une nouvelle génération de photodétecteurs UV. Ces semiconducteurs de la filière nitrure B(Al,Ga)N, diamant et SiC constituent des matériaux de choix nécessaires à la détection sélective en UV, UV profond voire extrême UV sans qu’il soit nécessaire d’y ajouter des filtres bloquant le visible ou l’infrarouge. Un des paramètres clés nécessaire au bon fonctionnement de ces photodétecteurs est le temps de réponse. La présence de défauts en quantité dans ces semiconducteurs se répercute par une forte densité de pièges en surface. Les photodétecteurs élaborés dans ces conditions présentent alors une vitesse de recombinaison des porteurs à leur surface très élevée et donc un temps de réponse du composant très lent. La thématique de recherche porte sur l’analyse des propriétés de surface des photodétecteurs X-UV à base de matériaux à large bande interdite III-N destinés à des applications spatiales. La technique utilisée est la spectroscopie du photocourant.