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https://di.univ-blida.dz/jspui/handle/123456789/15537
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Élément Dublin Core | Valeur | Langue |
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dc.contributor.author | Mraoufel, Ahleme | - |
dc.date.accessioned | 2022-04-18T10:05:40Z | - |
dc.date.available | 2022-04-18T10:05:40Z | - |
dc.date.issued | 2002 | - |
dc.identifier.uri | http://di.univ-blida.dz:8080/jspui/handle/123456789/15537 | - |
dc.description | Bibliogr. | fr_FR |
dc.description.abstract | Le développement de la microélectronique, dans la course vers la réduction des dimensions, ouvre la voie à de nouveaux axes de recherche, à tous les niveaux, de l'expérimentation, de la modélisation. Cette réduction des dimensions inhérente à l'accroissement de complexité, rend nécessaire l'analyse microscopique des phénomènes qui limitent les performances électriques et la fiabilité des réalisations : formation des défauts, diffusion anormale, contraintes…Toutes les opérations fondamentales : oxydation, diffusion, implantation, recuit… sont concernées. Pour notre part, nous nous intéressons dans ce mémoire à la modélisation et à la simulation de la croissance cristalline. Nous tenterons de montrer que la simulation peut être un outil très efficace pour la compréhension des phénomènes nouveaux liés à la complexité croissante et à la taille de plus en plus petite des dispositifs électroniques et pour la prévision de leurs performances. | - |
dc.language.iso | fr | fr_FR |
dc.publisher | Univ.Blida 1 | fr_FR |
dc.title | Modélisation et simulation, à l’échelle atomique de la croissance cristalline homoépitaxique de quatre couches atomiques de Ga As/Ga As(100) | fr_FR |
dc.title.alternative | Etude de la diffusion inter et intra-couches | fr_FR |
dc.type | Thesis | fr_FR |
Collection(s) : | Thèse de Magister |
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Fichier | Description | Taille | Format | |
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32-530-160-1.pdf | Thèse de Magister | 10,59 MB | Adobe PDF | Voir/Ouvrir |
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