Etude et simulation des structures à base de GaInAs/GaAs et  GaInAsN/GaAs pour le photovoltaïque

Veuillez utiliser cette adresse pour citer ce document : https://di.univ-blida.dz/jspui/handle/123456789/1559

Affichage complet

Élément Dublin Core	Valeur	Langue
dc.contributor.author	Chakal, Abdlmoumene	-
dc.contributor.author	Mammou, Abdelhak	-
dc.date.accessioned	2019-10-27T09:39:31Z	-
dc.date.available	2019-10-27T09:39:31Z	-
dc.date.issued	2013	-
dc.identifier.uri	http://di.univ-blida.dz:8080/xmlui/handle/123456789/1559	-
dc.description	4.621.1.171 94 p fig ; 30 cm	fr_FR
dc.description.abstract	Ce travail comporte la modélisation et la simulation des deux structures à base de semi-conducteurs pour une application photovoltaïque. Nous avons étudié l’influence des concentrations « indium » et « indium et azote » sur les différents paramètres des deux alliages GaInAs et GaInAsN respectivement épitaxies sur substrat de GaAs. En effet l’augmentation des densités de « In » et « In,N » diminue le gap des deux alliages, ce qui est très intéressant pour absorber le maximum de spectre solaire. L’étude comprend des graphes donnant les variations des différents facteurs influant sur le rendement des deux strucures. La structure la plus appropriée pour ce travail est GaInAsN/GaAs car elle possède un meilleur rendement	fr_FR
dc.language.iso	fr	fr_FR
dc.publisher	Univ Blida1	fr_FR
dc.subject	photovoltaïque; GaInAsN; GaInAs ; épitaxies ; substrat ; In ;N	fr_FR
dc.title	Etude et simulation des structures à base de GaInAs/GaAs et GaInAsN/GaAs pour le photovoltaïque	fr_FR
Collection(s) :	Mémoires de Master

Fichier(s) constituant ce document :

Fichier	Description	Taille	Format
MemoireChakalAbdelmoumenMammouAbdelhak.pdf		17,29 MB	Adobe PDF	Voir/Ouvrir

DSpace JSPUI