Veuillez utiliser cette adresse pour citer ce document :
https://di.univ-blida.dz/jspui/handle/123456789/16046
Affichage complet
Élément Dublin Core | Valeur | Langue |
---|---|---|
dc.contributor.author | Kardienne, Mazen | - |
dc.contributor.author | Khemiche, Ayoub | - |
dc.date.accessioned | 2022-05-18T07:35:28Z | - |
dc.date.available | 2022-05-18T07:35:28Z | - |
dc.date.issued | 2021 | - |
dc.identifier.uri | https://di.univ-blida.dz/jspui/handle/123456789/16046 | - |
dc.description | 621.1101 ; 61 p | fr_FR |
dc.description.abstract | Depuis les années 1950, le transistor à effet de champ, en tant que brique de base des circuits intégrés, est le moteur principal de l’industrie du semi-conducteur. Son architecture et son principe de fonctionnement sont restés pratiquement inchangés à ce jour, mais ses dimensions physiques n’ont cessé de décroître. Cependant, depuis le début des années 2000, la réduction de la taille des composants ne suffit plus à garantir de meilleures performances tout en réduisant le coût de fabrication. L’industrie des semi- conducteurs est dans une période clef de son essor, passant du monde de la microélectronique | fr_FR |
dc.language.iso | fr | fr_FR |
dc.publisher | Univ Blida1 | fr_FR |
dc.title | Simulation du transistor JFET | fr_FR |
Collection(s) : | Mémoires de Master |
Fichier(s) constituant ce document :
Fichier | Description | Taille | Format | |
---|---|---|---|---|
mazen mimoire depose et final.pdf | 1,97 MB | Adobe PDF | Voir/Ouvrir |
Tous les documents dans DSpace sont protégés par copyright, avec tous droits réservés.