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https://di.univ-blida.dz/jspui/handle/123456789/16046Affichage complet
| Élément Dublin Core | Valeur | Langue |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Kardienne, Mazen | - |
| dc.contributor.author | Khemiche, Ayoub | - |
| dc.date.accessioned | 2022-05-18T07:35:28Z | - |
| dc.date.available | 2022-05-18T07:35:28Z | - |
| dc.date.issued | 2021 | - |
| dc.identifier.uri | https://di.univ-blida.dz/jspui/handle/123456789/16046 | - |
| dc.description | 621.1101 ; 61 p | fr_FR |
| dc.description.abstract | Depuis les années 1950, le transistor à effet de champ, en tant que brique de base des circuits intégrés, est le moteur principal de l’industrie du semi-conducteur. Son architecture et son principe de fonctionnement sont restés pratiquement inchangés à ce jour, mais ses dimensions physiques n’ont cessé de décroître. Cependant, depuis le début des années 2000, la réduction de la taille des composants ne suffit plus à garantir de meilleures performances tout en réduisant le coût de fabrication. L’industrie des semi- conducteurs est dans une période clef de son essor, passant du monde de la microélectronique | fr_FR |
| dc.language.iso | fr | fr_FR |
| dc.publisher | Univ Blida1 | fr_FR |
| dc.title | Simulation du transistor JFET | fr_FR |
| Collection(s) : | Mémoires de Master | |
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| Fichier | Description | Taille | Format | |
|---|---|---|---|---|
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