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dc.contributor.authorKardienne, Mazen-
dc.contributor.authorKhemiche, Ayoub-
dc.date.accessioned2022-05-18T07:35:28Z-
dc.date.available2022-05-18T07:35:28Z-
dc.date.issued2021-
dc.identifier.urihttps://di.univ-blida.dz/jspui/handle/123456789/16046-
dc.description621.1101 ; 61 pfr_FR
dc.description.abstractDepuis les années 1950, le transistor à effet de champ, en tant que brique de base des circuits intégrés, est le moteur principal de l’industrie du semi-conducteur. Son architecture et son principe de fonctionnement sont restés pratiquement inchangés à ce jour, mais ses dimensions physiques n’ont cessé de décroître. Cependant, depuis le début des années 2000, la réduction de la taille des composants ne suffit plus à garantir de meilleures performances tout en réduisant le coût de fabrication. L’industrie des semi- conducteurs est dans une période clef de son essor, passant du monde de la microélectroniquefr_FR
dc.language.isofrfr_FR
dc.publisherUniv Blida1fr_FR
dc.titleSimulation du transistor JFETfr_FR
Collection(s) :Mémoires de Master

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