1. Université Saad Dahlab blida 1
  2. Faculté De Technologie
  3. Département d’Electronique
  4. Mémoires de Master
Veuillez utiliser cette adresse pour citer ce document : https://di.univ-blida.dz/jspui/handle/123456789/1756
Affichage complet
Élément Dublin CoreValeurLangue
dc.contributor.authorBouakkaza, Hayet-
dc.contributor.authorHadjallah, Fatima Zohra-
dc.date.accessioned2019-10-29T09:16:08Z-
dc.date.available2019-10-29T09:16:08Z-
dc.date.issued2013-
dc.identifier.urihttp://di.univ-blida.dz:8080/xmlui/handle/123456789/1756-
dc.description4.621.1.207 ; 70 p illustré ; 30 cmfr_FR
dc.description.abstractCe travail porte sur la simulation d’une structure à base des semi-conducteurs pour une application photovoltaïque. Nous avons étudié d’abord l’influence de la concentration d’indium sur les différents paramètres de l’alliage GaInAs et GaInP épitaxie sur substrat de Ge. En effet l’augmentation de la densité d’indium diminue le gap de l’alliage, ce qui est très intéressant pour absorber le maximum de spectre solaire. L’étude porte sur l’impact de la concentration d’indium sur les alliages Ga(1-x)InxP et Ga(1y)InyAs qui constituent notre cellule à double hétérojonction afin de déterminer leurs caractéristiques physiques et électriques et optimiser les concentrations d’indium de 74% qui donnent un rendement maximal de 30% de conversion photovoltaïque.fr_FR
dc.language.isofrfr_FR
dc.publisherUniv Blida1fr_FR
dc.subjectphotovoltaïque, rendement, semi-conducteurfr_FR
dc.titleEtude et simulation d’une structure à base de GaInP/GaInAs/Ge pour le photovoltaïquefr_FR
Collection(s) :Mémoires de Master

Fichier(s) constituant ce document :
Fichier Description TailleFormat 
PFE 2013.pdf826,95 kBAdobe PDFVoir/Ouvrir
Affichage abbrégé


Tous les documents dans DSpace sont protégés par copyright, avec tous droits réservés.