Modélisation et optimisation des structures à base de GaAsN et  GaAsBi pour le photovoltaïque

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DC Field	Value	Language
dc.contributor.author	EDDALIA, Farid	-
dc.contributor.author	Boubakeur, Manel	-
dc.date.accessioned	2019-11-03T12:43:25Z	-
dc.date.available	2019-11-03T12:43:25Z	-
dc.date.issued	2016	-
dc.identifier.uri	http://di.univ-blida.dz:8080/xmlui/handle/123456789/1948	-
dc.description	4.621.1.418 ; 57 p 30 cm	fr_FR
dc.description.abstract	L’énergie photovoltaïque convertit directement l’énergie Lumineuse en énergie électrique par des cellules solaires. Ce travail consiste à étudier et simuler une cellule solaire à base du matériau GaAsN et GaAsBi. Ces alliages ternaires qui sont des semi-conducteurs III-V présentent des caractéristiques importantes. Les caractéristiques d’une cellule solaire à base de GaAsN/GaAs et l’influence des boites quantiques sur cette structure dans le but d’optimiser le rendement ont été étudiées. Mots clés : cellule solaire, gallium arséniure nitrure, gallium arséniure bismuth, boites quantiques.	fr_FR
dc.language.iso	fr	fr_FR
dc.publisher	U.Blida1	fr_FR
dc.subject	cellule solaire, gallium arséniure nitrure, gallium arséniure bismuth	fr_FR
dc.title	Modélisation et optimisation des structures à base de GaAsN et GaAsBi pour le photovoltaïque	fr_FR
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