Veuillez utiliser cette adresse pour citer ce document : https://di.univ-blida.dz/jspui/handle/123456789/1948
Affichage complet
Élément Dublin CoreValeurLangue
dc.contributor.authorEDDALIA, Farid-
dc.contributor.authorBoubakeur, Manel-
dc.date.accessioned2019-11-03T12:43:25Z-
dc.date.available2019-11-03T12:43:25Z-
dc.date.issued2016-
dc.identifier.urihttp://di.univ-blida.dz:8080/xmlui/handle/123456789/1948-
dc.description4.621.1.418 ; 57 p 30 cmfr_FR
dc.description.abstractL’énergie photovoltaïque convertit directement l’énergie Lumineuse en énergie électrique par des cellules solaires. Ce travail consiste à étudier et simuler une cellule solaire à base du matériau GaAsN et GaAsBi. Ces alliages ternaires qui sont des semi-conducteurs III-V présentent des caractéristiques importantes. Les caractéristiques d’une cellule solaire à base de GaAsN/GaAs et l’influence des boites quantiques sur cette structure dans le but d’optimiser le rendement ont été étudiées. Mots clés : cellule solaire, gallium arséniure nitrure, gallium arséniure bismuth, boites quantiques.fr_FR
dc.language.isofrfr_FR
dc.publisherU.Blida1fr_FR
dc.subjectcellule solaire, gallium arséniure nitrure, gallium arséniure bismuthfr_FR
dc.titleModélisation et optimisation des structures à base de GaAsN et GaAsBi pour le photovoltaïquefr_FR
Collection(s) :Mémoires de Master

Fichier(s) constituant ce document :
Fichier Description TailleFormat 
Farid final.pdf2,15 MBAdobe PDFVoir/Ouvrir


Tous les documents dans DSpace sont protégés par copyright, avec tous droits réservés.