Etude et simulation de la structurer InGaAsBi/GaAs a puits quantique pour l’émission proche et moyen infrarouge

Abstract

Dans ce travail, nous nous sommes intéressé à l’étude et la simulation d’une structure à base de pour l’émission proche et moyen infrarouge. Cet alliage quaternaire qui est un semi-conducteur III-V présente des caractéristiques importantes notamment son énergie de gap qui diminue d’une manière drastique du à l’incorporation d’indium dans le GaAs. Nous avons également étudié les différents paramètres caractérisant les lasers qui nous ont servi à calculer leur longueur d’onde d’émission d’un laser à puits quantique. Mots clés : laser ; puits quantique ; longueur d’onde d’émission.