Etude et simulation d’une structure à base de 𝑰𝒏 𝒙 𝑮𝒂 𝟏−𝒙 𝑺𝒃 𝟏−𝒚 𝑩𝒊 𝒚 /𝑰𝒏 𝒛 𝑮𝒂 𝟏−𝒛 𝑺𝒃

Abstract

Ce travail porte sur l’étude d’une structure laser à base d’un puits quantique et composé d'une zone active sur le substrat InGaSbBi/InGaSb, en vue de l’obtention de la longueur d’onde 1550 nm. Cet alliage quaternaire qui est un semi-conducteur III-V présente des caractéristiques importantes. D’une manière drastique due à l’incorporation d’Indium et de Bismuth dans le substrat InGaSb. Nous avons étudié l'effet de d'indium et de bismuth sur la contrainte, la structure de bande, l’énergie de transition, l’énergie de quantification et nous avons calculé la longueur d'onde en fonction de la largeur du puits à la zone actif ainsi que la concentration d'indium et de bismuth. Mots clés : Semi-conducteur, Bismuth, Indium, Zone active, Puits quantique, Longueur d’onde.