étude et simulation d'une structure à base des semi-conducteurs SiGe pour application photovoltaïque

Abstract

Ce travail porte sur l’étude et la simulation d’une structure à base de semiconducteurs

Si et Ge pour une application photovoltaïque. Nous avons étudié l’influence de la concentration du Ge sur les différents paramètres de l’alliage SiGe épitaxié sur substrat de Si. En effet l’augmentation de la densité du Ge diminué le Gap de l’alliage SiGe ce qui est intéressant pour absorber le maximum du spectre solaire, ce qui fait que ce matériau devient important dans le domaine photovoltaïque.