Etude et simulation de nanostructures à base de GaAs x Sb 1-x /GaSb pour des applications optoélectroniques (transitions intersousbandes)

Abstract

Le but de ce travail est de mener une étude sur les transitions intersousbandes ainsi que le coefficient d’absorption des structures à puits quantiques a base du ternaire GaAsSb/GaSb. On s’est intéressé en premier lieu à étudier les principales propriétés optoélectroniques qui caractérisent cette structure. Puis, nous avons vérifié qu’elle effet ça va avoir d’introduire de l’arsenic sur les transitions intersousbandes, la longueur d’onde correspondante et le coefficient de l’absorption intersousbandes.