Veuillez utiliser cette adresse pour citer ce document :
https://di.univ-blida.dz/jspui/handle/123456789/2112
Affichage complet
Élément Dublin Core | Valeur | Langue |
---|---|---|
dc.contributor.author | kouadria, Asma | - |
dc.date.accessioned | 2019-11-06T08:00:00Z | - |
dc.date.available | 2019-11-06T08:00:00Z | - |
dc.date.issued | 2015 | - |
dc.identifier.uri | http://di.univ-blida.dz:8080/jspui/handle/123456789/2112 | - |
dc.description | 4.621.1.343 ; 76 p | fr_FR |
dc.description.abstract | Depuis plus d’une décennie, les matériaux III-V sont intensément étudiés pour des applications optoélectroniques dans l’UV et le bleu en 2003. la voie d’alliage pouvant couvrir quasiment tout le spectre solaire. En particulier, l’alliage SiGe fut largement étudié pour des applications photovoltaïques grâce à sa large couverture spectrale, ses bonnes caractéristiques électriques. Dans ce contexte, nous avons étudiés le fonctionnement des cellules photovoltaïques à base ZnO/ZnSe/Si/Ge par la simulation numérique à deux dimensions sous éclairement. Nous définissons une cellule de référence avec un ensemble de paramètres physiques, afin d’analyser leurs influences sur le rendement de conversion. Ainsi, plusieurs paramètres sont retenus : le dopage et le dimensionnement des régions n et p de la cellule. | fr_FR |
dc.language.iso | fr | fr_FR |
dc.publisher | Univ Blida1 | fr_FR |
dc.subject | Modélisation, semi-conducteur, cellules solaires, simulation numérique | fr_FR |
dc.title | Modélisation et simulation d’une cellule photovoltaïque multi-jonction à base de ZnO/ZnSe/SiGe | fr_FR |
Collection(s) : | Mémoires de Master |
Fichier(s) constituant ce document :
Fichier | Description | Taille | Format | |
---|---|---|---|---|
CORRmemoire20.pdf | 4,1 MB | Adobe PDF | Voir/Ouvrir |
Tous les documents dans DSpace sont protégés par copyright, avec tous droits réservés.