Etude et Simulation d’un transistor MOSFET à base d’un diélectrique high‐k et canal de conduction III‐V

Abstract

Le transistor à effet de champ MOSFET (Metal Oxide Semiconducteur Field Effect Tansistor), en tant que brique de base des circuits intégrés, est le moteur principal de l’industrie semiconducteur. Sa miniaturisation permet d’améliorer les performances, la densité d’intégration et le coût des circuits électroniques. L’enjeu pour ces transistors est de réduire les effets parasites liés à la miniaturisation. Dans ce contexte, notre travail consiste à faire une étude et une simulation d’une structure MOSFET dans ses différentes parties. La partie confinement électrostatique et la partie transport vont être étudiées afin de tirer les modèles physiques qui permettent de les gérer. Après, une simulation sous un environnement de calcul numérique, va être faite à partir de la résolution des équations des modèles obtenus. A la fin, une application du code développé sur des structures MOSFET SiO 2 /Si puis MOSFET High-k /III-V afin d’extraire leurs comportements électriques.